Скачать в ПДФ.

Оформить подписку.

ЭКОНОМИКА

---

Мировая экономика

Мировой кризис грянет в 2020 году

В мире ждут очередного экономического кризиса. Он, как предсказывают многие специалисты, наступит в будущем году и по длительности и мощи превзойдет кризис 2008–2009 годов. Вчера управляющая МВФ заявила о рекордном замедлении роста мировой экономики. Прогноз Всемирного банка говорит о той же тенденции. Мы попытались разобраться в причинах и возможных последствиях нового кризиса для России. Самый жесткий прогноз — резкое падение рубля и рост цен, массовые увольнения и глобальная разбалансировка экономической системы. «Идеальный шторм» сложится из нескольких объективных факторов. К ним эксперты относят повышение таможенных пошлин США и Китаем в ходе торговой войны, замедление роста глобального ВВП до 0,8%, резкое падение спроса и цен на углеводороды, «пузыри» на крупнейших фондовых рынках. Новая управляющая Международного валютного фонда Кристалина Георгиева в программной речи заявила о рекордном замедлении роста мировой экономики: «Если произойдет серьезный спад, корпоративный долг, сопряженный с риском дефолта, повысится до $19 трлн, или почти до 40% совокупного долга в восьми ведущих экономиках. Это превышает уровни, наблюдавшиеся во время финансового кризиса». Особый акцент она делает именно на торговых войнах: «В торговой войне проигрывают все. Для мировой экономики совокупный эффект торговых конфликтов может означать потерю примерно 700 миллиардов долларов к 2020 году». Нынешний стремительный подъем экономики США чреват биржевым крахом, по масштабу сопоставимым с Великой депрессией 30-х годов прошлого века — и тогда человечеству не избежать затяжной рецессии, предупреждает американский экономист и инвестбанкир Джеймс Рикардс. Его соотечественник и коллега Нуриэль Рубини по прозвищу Dr. Doom, точно предсказавший драматические события 2008–2009 годов, подбрасывает дровишек в огонь: с тех пор долгов на планете стало только больше, а инструментов для борьбы с этим бременем у развитых государств Запада — меньше. Слишком много денег напечатано центробанками, слишком много активов выкуплено ими у проблемных банков. Новые «смягчения» могут быть опасны. Кризис назрел еще и в силу циклического развития рыночной экономики: именно 12 лет считаются тем классическим средним сроком, что отделяет одну рецессию от другой. Если прогноз по поводу всемирного кризиса сбудется, волна накроет и Россию. Наша страна, несмотря на декларируемые властями устойчивость экономики и статус «тихой гавани», вновь столкнется с необходимостью обрушить рубль — ради наполнения бюджета. Усилится фискальное давление на бизнес и граждан. Армия бедных получит внушительное пополнение. В 2009-м падение российского ВВП составило 7,8%, напоминает Центр конъюнктурных исследований ВШЭ, не исключая, что в ближайшие год-полтора страна вновь окажется в яме — прежде всего из-за снижения спроса и цен на нефть и газ. К тому же выводу приходит рейтинговое агентство АКРА, отмечая: более 20% отечественных поставок за рубеж приходится на прямых участников торговых войн и страны с риском введения протекционистских мер в обозримом будущем. Среднегодовой курс доллара для 2020 года аналитики из АКРА определили в 73,8 рубля.

Вспомним, что в октябре 2018 года премьер Дмитрий Медведев в статье для журнала «Вопросы экономики» воздвиг настоящую концептуальную цитадель, призванную развеять все сомнения в неуязвимости российской экономической системы. Сегодня у нас устойчивый бездефицитный бюджет и низкий госдолг (особенно в иностранной валюте), а инфляция такова, что обеспечивает макроэкономическую стабильность, отметил глава кабмина. Более того, заявил Медведев, впереди новая цель — создание «прочной основы» для обеспечения устойчивого роста благосостояния как каждого человека и семьи, так и общества в целом. В российской экспертной среде эта позиция обрела своих сторонников. Наша страна с ее международными резервами, превышающими $500 млрд, «пересидит» любой мировой кризис, считает, например, руководитель ИАЦ «Альпари» Александр Разуваев. Действительно, в 2019 и 2020 годах темпы роста ВВП составят явно невысокие 1–2%, однако на этом негатив и заканчивается, говорит он. «Резервы государства превышают его долговые обязательства. То есть Кремль может погасить свои долги в «один клик». Бюджет в профиците. Фондовые индексы слабо связаны с уверенностью потребителей. За счет политики умеренно слабого рубля объем несырьевого экспорта достигнет в этом году $140–150 млрд. Завершаются масштабные проекты «Газпрома» — «Северный поток-2», «Сила Сибири», «Турецкий поток». Инфляция по итогам года составит 4,2%, ключевая ставка ЦБ — 6,75%», — перечисляет эксперт составные элементы «охранной грамоты» для России. Что касается глобальных рисков, то Разуваев называет два. Во-первых, это гипотетический вооруженный конфликт на Ближнем Востоке: c одной стороны США, Саудовская Аравия и их союзники, с другой — Иран, также весьма серьезный противник в военном плане. Исход такого противостояния прогнозировать сложно, но цена нефти легко может превысить $100. Однако Трамп уже заявил, что в отношении Тегерана удовлетворится санкциями.

Читать полностью.

 

Российская экономика

Рост промышленности в ноябре сильно замедлился

Промышленность в ноябре выросла на 0,3% год к году после 2,6% в октябре, следует из данных Росстата.

Это худшая помесячная динамика с декабря 2017 года, когда фиксировался спад на 1,7%. Данные намного ниже прогнозов экономистов, ожидавших повторения октябрьского роста.

Замедление роста в ноябре частично объясняется календарным фактором: в этом ноябре было на один рабочий день меньше, чем в ноябре 2018 года. С исключением календарного и сезонного факторов промпроизводство упало на 0,6% к октябрю после роста на 0,2% в октябре.

Замедление вызвано преимущественно остановкой роста обрабатывающей промышленности — 0,1% в ноябре после роста на 3,7% в октябре.

Индекс деловой активности (PMI) российских обрабатывающих отраслей падает уже полгода, а в ноябре он снизился до 45,6 балла. Это худший результат с мая 2009 года.

Снижение индекса прежде всего связывают с сокращением спроса и новых заказов. Прогноз указывает на дальнейшее замедление производства в последнем квартале 2019 года и в первые месяцы 2020 года.

Источник.

 

РЫНОК

---

Мировой рынок

Чипмейкеры и аналитики надеются на восстановление полупроводникового рынка

После кошмарного для полупроводниковой отрасли года участники рынка микросхем памяти надеются на улучшение в 2020-м. Предполагается, что восстановлению спроса будет способствовать выход новых смартфонов с поддержкой 5G и дальнейшее расширение дата-центров.

Фондовый рынок реагирует на оптимизм чипмейкеров ростом котировок. Акции Samsung Electronics и SK Hynix, ведущих производителей DRAM и NAND flash, с начала ноября прибавили в цене 9 и 13%, передает The Financial Times.

У американской Micron акции подорожали почти на 14%. На прошлой неделе компания отчиталась по итогам минувшего квартала и объявила, что худший для нее период завершается.

«На рынке DRAM-памяти произошло сильное восстановление во второй половине календарного 2019 года. Теперь мы ожидаем рост спроса с точки зрения суммарной емкости памяти на 20% по итогам 2019 года», — сообщил глава Micron Санджай Мехротра (Sanjay Mehrotra).

Аналитики тоже оптимистично оценивают дальнейшие перспективы на рынке памяти.

«Цены на DRAM восстановятся уже в январе — марте 2020-го, на квартал раньше, чем ожидалось. Складские запасы флэш-памяти уже вернулись к нормальному уровню, и цена чипов в IV квартале растет», — описывает тенденции в отрасли аналитик JPMorgan Джей Джей Парк (J. J. Park).

Ранее Ассоциация полупроводниковой промышленности (Semiconductor Industry Association, SIA) сообщила, что в октябре 2019 года мировой рынок полупроводников вырос почти на 3% по сравнению с сентябрем, а выручка достигла $36,6 млрд. Хотя по сравнению с 2018-м все еще сохраняется негативная динамика, гендиректор SIA Джон Нойфер (John Neuffer) отметил, что продажи в помесячном исчислении растут уже четыре месяца подряд.

Специалисты отраслевой организации World Semiconductor Trade Statistics (WSTS) полагают, что в 2019-м глобальная полупроводниковая выручка сократится на 12,8%, а в 2020-м вырастет на 5,9%.

Вместе с тем некоторые аналитики сохраняют осторожность в прогнозах, указывая на высокий уровень складских запасов у многих чипмейкеров. Также опасения вызывает грядущая президентская кампания в США, в связи с которой нельзя исключать продолжения торговых трений.

Среди участников полупроводниковой отрасли тоже есть те, кто не уверен, что худшее позади. В частности, производитель деталей для полупроводникового оборудования Seokwang Technology недавно сообщил о росте заказов со стороны чипмейкеров, но отметил, что показатели еще на 10% отстают от уровня 2018 года.

Президент компании Ли До-вон (Lee Do-won) заявил, что не станет увеличивать инвестиции, пока на рынке не появятся более четкие признаки восстановления.

Источник.

 

Прогноз сокращения расходов на оборудование для полупроводникового производства в этом году оказался слишком пессимистичным

В будущем году даже ожидается рост

Отраслевая организация SEMI пересмотрела прогноз глобальных расходов на оборудование для производства полупроводниковой продукции на 2019 год в сторону повышения. Рост инвестиций в производство памяти во второй половине года после слабого первого полугодия позволил поднять оценку на год в целом до $56,6 млрд. Новый прогноз соответствует сокращению инвестиций по сравнению с 2018-м всего на 7%, а не на 18%, как предполагалось ранее.

Аналитики SEMI также пересмотрели прогноз инвестиций в оборудование на 2020 год до более оптимистичного значения $58 млрд. Другими словами, эксперты ожидают, что в будущем году спад сменится пусть небольшим, но ростом.

Напомним, спад начался во второй половине 2018 года, когда общие инвестиции сократились на 10%. В первом полугодии текущего года спад составил 12%. При этом расходы на оборудование для выпуска памяти упали на 38% —менее чем до $10 млрд, поскольку инвестиции в секторе 3D NAND пострадали особенно сильно во второй половине 2018 года, обрушившись на 57%. Инвестиции в DRAM упали на 12% во второй половине 2018 года и еще на 12% — в первой половине 2019 года.

Нисходящий тренд завершился в конце 2019 года. Ожидается, что по итогам текущего полугодия инвестиции в производство вырастут на 26%, при этом инвестиции в производство 3D NAND взлетят более чем на 70%.

Источник.

 

Европейские антимонопольные органы одобрили сделку между NVIDIA и Mellanox

На этой неделе истек срок рассмотрения сделки между NVIDIA и Mellanox европейскими регуляторами, и вчера агентство Reuters сообщило, что предстоящее поглощение было одобрено без каких-либо дополнительных условий. Напомним, NVIDIA должна купить израильского разработчика скоростных интерфейсов Mellanox Technologies за сумму, превышающую $6,8 млрд, которую возьмет из собственных средств. Дело остается за малым — получить разрешение антимонопольных органов Китая, где у Mellanox находятся крупные клиенты типа Alibaba и Baidu.

Следует добавить, что одновременно свое одобрение дали антимонопольные органы Мексики, поэтому завершению сделки в первоначально намеченные сроки (до конца текущего года) мешает только отсутствие вердикта китайской стороны. На минувшей квартальной отчетной конференции представители NVIDIA уже заявили, что оформление сделки с Mellanox может быть отложено на начало следующего года из-за необходимости получить одобрение китайских антимонопольщиков.

Источник.

 

Samsung вложит еще $8 млрд в свой китайских завод по выпуску NAND flash

По данным корейских и китайских СМИ, Samsung Electronics планирует выделить дополнительные $8 млрд на расширение производства флэш-памяти на своем заводе в китайском городе Сиане.

С помощью инвестиций южнокорейский гигант рассчитывает еще больше укрепиться на мировом рынке чипов NAND flash. Ожидается, что спрос на них в следующем году вырастет на фоне набирающего обороты коммерческого внедрения 5G и выхода новых устройств с поддержкой передового стандарта.

Обозреватели Business Korea отмечают, что это уже второй раунд инвестиций в данное предприятие. В августе 2017-го Samsung объявила о намерении вложить в него $7 млрд в следующие три года. В соответствии с графиком, инвестиционный план будет реализован в марте 2020-го. Прошлые и новые вложения позволят довести мощность предприятия Samsung, специализирующегося на чипах 3D NAND flash, до 130 тыс. единиц продукции в месяц.

В агентстве Рейтер напомнили, что ранее компания также инвестировала $10,8 млрд в свой другой завод в Сиане, занятый тестированием и сборкой микросхем.

Samsung Electronics — крупнейший в мире производитель флэш-памяти. По данным TrendForce, в третьем квартале 2019 года компания увеличила продажи этой продукции на 5,9% по сравнению с предыдущей четвертью, выручив $3,99 млрд. Учитывая, что весь объем рынка в деньгах аналитики оценили в $11,9 млрд, рыночная доля Samsung составила 33,5%. Для сравнения, вклад ближайшего преследователя — компании Kioxia (прежнее название Toshiba Memory) — составил $2,2 млрд, или 18,7%.

Среди других основных конкурентов Samsung на рассматриваемом рынке аналитики называют компании Western Digital, Micron, Intel и SK Hynix. В будущем к этому списку могут добавиться китайские чипмейкеры, которые постепенно развивают производство флэш-памяти при поддержке властей своей страны. В частности, компания Yangtze Memory Technologies уже выпускает 64-слойные микросхемы NAND flash в объеме 5 тысяч полупроводниковых пластин в месяц. В планах компании — к концу 2020 года увеличить этот показатель до 60 тысяч полупроводниковых пластин в месяц. Также Yangtze Memory собирается в следующем году начать выпуск более передовых 128-слойных чипов NAND flash.

Между тем аналитики IC Insights прогнозируют, что после коллапса, который ожидается в сегменте микросхем памяти в 2019 году, чипы NAND flash в 2020-м снова станут самой быстрорастущей категорией на мировом рынке интегральных схем. По оценкам экспертов, в этом году продажи NAND flash упадут на 27%, а в следующем — увеличатся на 19%.

Источник.

 

Планы AMD по захвату рынка процессоров поистине грандиозны

Компания намерена захватить четверть рынка настольных и серверных CPU

Компания AMD, как известно, уже несколько кварталов подряд наращивает свою долю во всех сегментах процессорного рынка. В настольном у AMD сейчас около 18%, в мобильном — около 14%.

Компания считает, что вполне может повторить свой рекорд. В лучшие времена AMD принадлежало 25% рынка настольных CPU и около 17% — мобильных. Представитель компании заявил, что не видит причин, по которым бы AMD не стоит рассматривать эти показатели в качестве ближайшей цели: «Давайте сначала доберемся до нашего исторического максимума, а затем поговорим, куда мы пойдем дальше».

В серверном сегменте, согласно недавним данным аналитиков Mercury Research, у AMD на конец третьего квартала было около 4%, но представитель компании заявляет, что сейчас она занимает уже 7% рынка. Более того, отметку в 10% AMD намерена пересечь уже ко второму кварталу следующего года, то есть еще до выхода CPU Epyc нового поколения. В целом же AMD нацелилась на свой исторический максимум и в этом сегменте. В данном случае это 26%.

Источник.

 

Toshiba хочет выкупить разработчика оборудования для производства чипов

Toshiba хочет выкупить всего производителя оборудования для изготовления чипов NuFlare Technology. Однако у японского конгломерата появился конкурент, который также предлагает покупку.

В настоящее время Toshiba принадлежит 52,4% NuFlare. Корпорация хочет довести эту долю до 100% и предлагает приобретение акций по цене 11 900 за штуку ($108,8) или за $1,29 млрд. Разработчик оптических решений Hoya готов заплатить более высокую сумму — 12 900 иен (почти $118) на акцию, или около $1,4 млрд.

Hoya намерена стать владельцем двух третей акций NuFlare, а это значит, что ей придется приобрести часть доли у Toshiba. Но Toshiba отказывается продавать и заявляет, что NuFlare является ключевым направлением работы группы.

Изначально предложение Toshiba действовало до 25 декабря 2019 года, а теперь срок продлен до 16 января. В NuFlare заявили в понедельник 23 декабря о том, что продолжат поддерживать предложение Toshiba и примут решение по поводу предложения Hoya после оценки заявки Toshiba.

Toshiba хочет консолидировать NuFlare, чтобы перебросить ресурсы в эту компанию и сосредоточиться на ее росте. Однако прежде этот разработчик оборудования для производства полупроводников приносил убытки японскому гиганту.

За 2018 финансовый год, конец которого пришелся на 31 марта 2019-го календарного, операционная прибыль Toshiba снизилась в 2,4 раза — до 35,4 млрд иен ($319,3 млн). Продажи компании в годовом исчислении упали на 6,5%, до 3,69 трлн иен ($33,5 млрд). Одной из причин финансового спада Toshiba стали убытки от обесценения активов на сумму 9,8 млрд иен ($90 млн) в NuFlare.

По итогам 2019 финансового года, который продлится до конца марта 2020-го календарного, Toshiba ожидает операционную прибыль на уровне 140 млрд иен ($1,28 млрд) против 35,4 млрд иен прибыли годом ранее. В 2021 финансовом году Toshiba прогнозирует увеличение операционной прибыли до 240 млрд иен ($2,2 млрд).

В настоящее время Toshiba находится в процессе реализации стратегии, направленной на достижение маржи операционной прибыли в 8–10% по итогам финансового года, который завершится в марте 2024-го календарного. Для этого компания избавилась от ряда крупных подразделений и сконцентрировалась на основных бизнес-направлениях, таких как продукты для энергетического сектора и социальной инфраструктуры. Все шесть основных подразделений компании в апреле — сентябре 2019 года вышли на прибыль, тогда как годом ранее безубыточными были три подразделения.

Источник.

 

SUSS MicroTec покупает производителя оборудования для струйной печати в микроэлектронике

Это PiXDRO, подразделение машиностроительной компании Meyer Burger Deutschland GmbH.

SUSS MicroTec, ведущий поставщик оборудования и технологических решений для полупроводниковой промышленности, объявил о намерении приобрести PiXDRO, подразделение Meyer Burger Deutschland GmbH. Стороны уже подписали соответствующее соглашение. Приобретение обойдется покупателю в 4,5 млн евро. Ожидается, что сделка будет завершена к концу февраля 2020 года.

Годовой доход PiXDRO — около 7 млн евро. Подразделение производит полуавтоматическое и полностью автоматическое оборудование для процессов нанесения покрытий методом струйной печати. Это оборудование появилось на рынке в 2004 году и в основном используется в НИОКР, для изготовления печатных плат и фотогальванических элементов. Вместе с тем технология струйной печати открывает ряд новых возможностей в полупроводниковой технологии. По словам SUSS MicroTec, приобретение этого подразделения и связанных с ним патентов позволит расширить ассортимент продукции для литографии оборудованием для нанесения фоторезистов и диэлектрических слоев с использованием нового процесса.

По сравнению с другими методами нанесения покрытий в струйной печати полезное использование расходного материала значительно выше и достигает почти 100%. Это означает экономию материалов, а также низкую стоимость очистки и утилизации, что тоже приводит к значительной экономии средств и одновременно к снижению воздействия на окружающую среду. Еще одним важным достоинством струйной печати является возможность выборочного нанесения материалов.

Источник.

 

Российский рынок

В дорожную карту по квантовым вычислениям заложено создание квантового компьютера и софта к нему

Потенциальный спрос на вычисления квантовых компьютеров сформируют компании финансового сектора, ТЭК и химической промышленности, транспортного сектора, биомедицинских технологий, IT.

«Росатом» представил проект плана развития квантовых вычислений в России, согласно которому на работу над ними к 2024 году уйдет 23,7 млрд руб., сообщает «Коммерсантъ». При этом, по данным издания, внебюджетная часть проекта выросла с 2,4 млрд до 10,4 млрд руб. Бизнес предполагается заинтересовать софтом для квантового компьютера, который планируется разрабатывать одновременно с «железной» частью.

Бюджетная часть финансирования составит 13,3 млрд руб., источником этих средств в основном станет Российская венчурная компания, уточняется в проекте плана развития.

Рост внебюджетной части связан с тем, что при детализации увеличились потребности команд по каждому из пунктов сметы, подтвердил гендиректор Российского квантового центра Руслан Юнусов. Поиском источников финансирования будет заниматься «Росатом», он же может стать и первым заказчиком проекта, также планируется привлекать деньги будущих заказчиков квантового компьютера, рассказал он. «Многие компании заинтересованы. Мы планируем параллельно работать над созданием софта для квантового компьютера, чтобы, когда его мощность достигнет достаточного размера, софт к нему был уже готов», — подчеркнул Руслан Юнусов.

В «Росатоме» подтвердили, что госкорпорация отвечает за формирование внебюджетной составляющей проекта: «Часть средств — это непосредственно ресурсы «Росатома», часть — деньги партнеров». Партнерами будут компании, «заинтересованные в решении задач, посильных для квантового компьютера в будущем и невозможных для решения на классических компьютерах». Это компании финансового сектора, ТЭК и химической промышленности, транспортного сектора, биомед, IT и другие, пояснила пресс-служба «Росатома».

Квантовые вычисления могли бы использоваться для ускорения разработки новых продуктов в химии, подтвердили в пресс-службе «Сибура». «Газпромнефть» анализирует применимость квантовых алгоритмов для решения производственных задач в области нефтедобычи и нефтепереработки, сообщили в компании. «Реализация столь масштабных фундаментальных проектов, как правило, приводит к получению множества побочных эффектов в виде новых продуктов и идей, которые могут быть коммерциализированы. Это создает потенциал для роста стоимости активов группы Газпромбанка за счет будущей монетизации проектов РКЦ», — заявил заместитель председателя правления Газпромбанка Дмитрий Зауэрс.

Член экспертного совета по российскому программному обеспечению Илья Массух согласен с концепцией одновременного создания софта и «железа». При этом деньги, заложенные в дорожной карте «Росатома», сложно назвать прорывом на мировой арене, отмечает он. «За рубежом крупные компании поодиночке вкладывают больше денег, чем у нас выделено на весь проект», — пояснил он, добавляя, что, несмотря на это, Россия не отстает в сфере квантовых технологий.

Компании сами пока не готовы к использованию квантовых вычислений, реальный спрос не сформирован, нужны не уникальные экспериментальные установки, а законченные изделия с понятным прикладным софтом и примерами использования, считает исполнительный директор Ассоциации предприятий компьютерных и информационных технологий Николай Комлев. Он отмечает, что «Росатому» достался самый трудный участок квантового проекта, в госкорпорации есть сильные специалисты, которые «смогут, как запланировано, к 2024 году создать что-то уникальное, но использовать это в реальных, востребованных на рынке проектах — вряд ли».

Источник.

 

АПКИТ: создание госинтегратора — плохая идея

В настоящее время на правительственном уровне обсуждается идея создания в технопарке «Сколково» государственного интегратора «Сколково-интеграция», который будет создавать и продвигать комплексные отраслевые ИТ-решения, основанные на использовании отечественного ПО. Авторы данной идеи полагают, что крупные отечественные интеграторы в основном стремятся продвигать хорошо знакомые им зарубежные решения и не очень-то заинтересованы в импортозамещении. Сами интеграторы с данным тезисом категорически не согласны.

Вот что рассказал изданию IT Week исполнительный директор ассоциации АПКИТ Николай Комлев: «Идея, на мой взгляд, плохая. Полагаю, что лозунг импортозамещения здесь использован скорее как прикрытие желания отодвинуть конкурентов — рыночных интеграторов. Вся эта шумиха скорее пробный шар. Да и «Сколково» в качестве флага выбрано не очень удачно. Все-таки этот бренд ассоциируется с созданием новых компаний, новых технологий, с международным сотрудничеством. В любом случае, если такой госинтегратор будет создан, это плохо повлияет на ИТ-индустрию, на независимый ИТ-бизнес в России. Независимые компании лишатся существенных денег на развитие. А созданная госкомпания будет традиционно неэффективна в части снижения затрат и освоения новых технологий. Пострадают и пользователи. Цены на проекты точно вырастут. Впрочем, есть некоторая надежда на уже существующих государственных и окологосударственных интеграторов, на то, что они разглядят в этом угрозу своим амбициям и затопчут эту идею».

Ранее негативное отношение к данной идее выразили «Ведомостям» президент ассоциации «Руссофт» Валентин Макаров, председатель совета директоров ГК «Аплана» Тагир Яппаров и сооснователь IBS Сергей Мацоцкий. Среди прочего, они отметили, что уже есть госинтеграторы, например ФГУП НИИ «Восход», которые и так забирают существенную долю заказов. Что же касается проблемы импортозамещения, она не в том, что интеграторы не хотят внедрять российский софт, а в нехватке комплексных конкурентоспособных отечественных решений.

Но и здесь есть заметные подвижки. Недавно мы отмечали, что в нашей стране компании, занятые разработкой ПО, растут быстрее, чем другие участники ИТ-рынка. Стало быть, спрос на их продукцию с каждым годом увеличивается. Кроме того, в последнее время российские производители стали кооперироваться в создании полных решений. Особенно активно этот процесс пошел после того, как летом прошлого года в рамках АРПП «Отечественный софт» был создан комитет по интеграции отечественного ПО.

«Мы считаем, что в создании госинтегратора на базе «Сколково» нет необходимости. Развитие системной интеграции должен обеспечивать рынок, а государство создавать условия, в которых появлялось бы больше конкурентоспособных, востребованных отечественных продуктов. Интеграторы, в том числе и государственные организации, выполняющие функции интеграторов, по выручке занимают лидирующие позиции в ведущих отраслевых рейтингах и легко адаптируются к требованиям рынка. Если импортонезависимость становится рыночной необходимостью, то и отечественные разработки становятся востребованными интеграторами и дополнительного регулирования здесь не требуется», — заявил нам Ренат Лашин, исполнительный директор АРПП «Отечественный софт».

Источник.

 

ТЕХНОЛОГИИ

---

ARM предлагает «костыль» для закона Мура: питание с обратной стороны кристалла

Как объяснили на недавней тематической конференции IEEE представители компании ARM, обычно на потери в линиях питания отводится до 10%. Скажем, при подаче на вход цепи регулирования питания напряжения номиналом 1 В, на транзисторах в цепи будет до 0,9 В, что вполне приемлемо. С уменьшением масштаба техпроцесса этого становится достичь все труднее и труднее. Критически возросла плотность размещения элементов и линий распределения питания. Это значит, что шины питания становятся менее широкими, что приводит к росту их сопротивления и к недопустимо высокому падению напряжения.

Для того чтобы оценить потери по питанию в случае дальнейшего снижения технологических норм и найти варианты смягчить негативный эффект, разработчики из ARM и ученые из бельгийского центра Imec создали опытный 3-нм процессор на архитектуре Cortex-A53 с тремя разными способами подвода питания к транзисторам.

В первом случае питание подавалось классическим способом: через шины, разведенные поверх транзисторов на кристалле с вертикальными отводками вниз на уровень транзисторов. Увы, этот подход не смог обеспечить 10%-ный запас по питанию. На уровне транзисторов падение напряжения оказалось намного больше, чем при подаче на вход регулятора шины питания.

Второй опытный 3-нм кристалл использовал несколько иную схему подвода питания. Верхняя разводка оставалась все той же, но кремний под транзисторами был исполосован утопленными в него сравнительно толстыми «рельсами» еще одной шины по разводке питания. Питание с верхнего уровня над транзисторами через регулярные промежутки по толстым каналам металлизации передавалось на утопленную шину и дальше на транзисторы. Такое решение вписывалось в допустимую 10%-ную потерю номинала от входного напряжения питания, но не позволяло повысить производительность транзисторов ― все ушло в свисток в потерю мощности.

Наконец, третий вариант предусматривал «рельсы», утопленные в кремниевую подложку под транзисторами, и подвод питания к этой шине с обратной стороны пластины. Казалось бы, очевидное решение, но технологически оно довольно сложно. Чтобы его реализовать, надо сначала изготовить сеть «рельсов» с рабочей стороны кристалла, затем перевернуть пластину тыльной стороной и снять с нее «стружку» ― истончить до 500 нм и отполировать. После этого нужно создать сквозные отверстия вертикальной металлизации диаметром около 1 мкм к «рельсам» на обратной стороне и соединить отверстия с сетью каналов разводки питания на тыльной стороне пластины. Затем все это снова перевернуть и дальше обрабатывать кристалл привычным способом: травлением, внесением примесей, осаждением в вакууме, отжигом и так далее.

Радует, что результат себя оправдывает, потому что питание с нижней стороны пластины обеспечивает в семь раз меньшее падение напряжения, чем в двух предыдущих случаях. И этот запас можно конвертировать в повышение производительности транзисторов и процессоров в целом.

Геннадий Детинич

Источник.

 

Физики создали новый фотонный материал

Сотрудники физического факультета МГУ совместно с коллегами из Нижнего Новгорода, Америки и Австралии разработали оптический материал с искусственно созданной анизотропией нелинейного отклика на основе отдельных кластеров кремниевых наночастиц. Исследователи теоретически и экспериментально показали, что, изменяя условия возбуждения системы, можно добиться модуляции интенсивности сигнала третьей оптической гармоники, причем симметрия нелинейного отклика будет совпадать с геометрической симметрией возбуждаемого образца. Полученные в рамках исследования результаты опубликованы в престижном международном журнале Advanced Optical Materials, причем иллюстрация из статьи попала на обложку его октябрьского выпуска. Новый материал может быть внедрен в платформу существующих мобильных устройств.

Образцы наноструктур были изготовлены из кремния стандартными методами микроэлектроники и представляли собой отдельно расположенные кластеры цилиндрических наночастиц на стеклянной подложке: тримеров — частицы расположены в вершинах равностороннего треугольника, квадрумеров — в вершинах квадрата, а также одиночных наночастиц. Геометрические параметры составных элементов каждой наносистемы подбирались таким образом, чтобы структуры эффективно преобразовывали ближнее ИК-излучение в свет ближнего УФ-диапазона.

Эффекты, изучаемые работе, возникают благодаря взаимодействию нанообъектов за счет локальных электромагнитных полей, приводящему к изменению оптического отклика всей системы. «При сближении резонансных наночастиц между ними возникает локальное взаимодействие, приводящее к возбуждению коллективных оптических мод нанокластера, что демонстрировалось нами и в предыдущих работах. Однако сейчас нам удалось управлять этим взаимодействием, изменяя поляризацию лазерного импульса», — рассказал автор статьи, научный сотрудник кафедры квантовой электроники физического факультета МГУ Александр Шорохов.

«При использовании метода нелинейной микроскопии были получены зависимости сигнала третьей оптической гармоники от угла вращения поляризации излучения накачки для трех типов структур: одиночного нанодиска, тримера и квадрумера. Симметрия сигнала, полученного в нелинейном режиме, совпадает с точечной группой симметрии образцов, при этом линейный отклик всех рассматриваемых наноструктур является изотропным»,— уточнила автор работы, аспирант кафедры квантовой электроники физического факультета МГУ Мария Кройчук.

«Представленный в рамках исследования метод позволяет не только управлять локальным взаимодействием наночастиц, но и характеризовать симметрию экспериментальных структур в дальнем оптическом поле без использования ближнепольных методик», — рассказал руководитель научной группы профессор МГУ Андрей Федянин.

Результаты проделанной работы могут быть использованы при создании компактных эффективных управляемых нелинейных частотных преобразователей для задач интегральной нанофотоники. Исследование материала с управляемой анизотропией нелинейного отклика приблизит создание эффективных наноразмерных источников ультрафиолетового излучения с контролируемой интенсивностью выходного сигнала. УФ-излучение применяется в медицине, профилактических учреждениях, сельском хозяйстве и т. д., поэтому поиск новых решений для его искусственного получения становится актуальной проблемой современной науки. Основным преимуществом рассматриваемого в работе материала является его размер и КМОП-совместимость, позволяющие внедрение источников, например, в так называемую, лабораторию на чипе (lab-on-chip) или в платформу существующих мобильных устройств.

Источник.

 

Специалисты Kioxia разработали новую ячейку флэш-памяти, которая позволит повысить плотность объемной компоновки

Разработка называется Twin BiCS FLASH

Компания Kioxia, ранее известная как Toshiba Memory, объявила о разработке первой в мире трехмерной (3D) полукруглой ячейки флэш-памяти с разделенным затвором, в которой используется технология плавающего затвора. Новая память называется Twin BiCS FLASH.

По характеристикам Twin BiCS FLASH превосходит обычные ячейки с круговой ловушкой заряда при значительно меньшем размере ячейки. Это делает новую ячейку многообещающим кандидатом на повышение плотности при меньшем числе слоев за счет увеличения числа распознаваемых уровней (более чем QLC).

Увеличение числа слоев раньше было сравнительно простым способом дальнейшего повышения плотности, но когда количество слоев превышает 100, компромисс между усложнением техпроцесса, сохранением однородности размеров и производительностью становится все более сложной задачей. Чтобы преодолеть эту проблему, в Kioxia и разработали новую конструкцию полукруглой ячейки, разделив электрод затвора в обычной круглой ячейке для уменьшения размера.

Сведений о сроке коммерциализации разработки пока нет.

Источник.

 

Ученые создали электрооптическое наноустройство для быстрой памяти и процессоров

Первое в мире интегрированное наноразмерное устройство, программируемое с помощью фотонов или электронов, было разработано учеными исследовательской группы профессора Хариша Бхаскарана (Harish Bhaskaran) из Оксфордского университета в сотрудничестве с исследователями из Мюнстерского и Эксетерского университетов. Команда создала первое в своем роде электрооптическое устройство, которое позволяет соединить области оптических и электронных вычислений. Оно, как сообщается, является элегантным решением для создания более быстрой и более энергоэффективной компьютерной памяти и процессоров.

Вычисления со скоростью света — заманчивая перспектива, и с этими наработками подобное может стать реальностью. Хотя ранее было продемонстрировано использование света для выполнения различных вычислительных процессов, до сих пор не было компактного устройства для взаимодействия с электронной архитектурой традиционных компьютеров. Несовместимость электрических и основанных на свете вычислений проистекает из принципиально различных объемов взаимодействия электронов и фотонов — длина волны света намного больше, чем у электронов.

Для преодоления этой фундаментальной проблемы команда ученых придумала решение для ограничения света в наноскопических размерах, что и было подробно описано в статье «Устройства с фазовым переходом, плазменным наноразмерным усилением и двойной электрооптической функциональностью», опубликованной 29 ноября в Science Advances. Исследователи объединили концепции интегрированных технологий фотоники, плазмоники и электронной памяти, чтобы создать компактное устройство, которое может работать одновременно как оптическая и как электрическая память, а также выступать в качестве процессора. Информация может храниться и обрабатываться с использованием световых или электрических сигналов или даже любой их комбинации.

Подробнее.

 

Фотон телепортировали с одного чипа на другой

Физики впервые продемонстрировали процесс квантовой телепортации с одного кремниевого чипа на другой. Система, построенная на принципах интегральной оптики, использует комбинацию нелинейных источников фотонов и линейных квантовых схем. Такая конструкция обеспечивает одну из самых высоких точностей телепортации на сегодняшний день. Работа опубликована в Nature Physics.

Для построения систем обработки и передачи квантовой информации ученые часто используют принципы интегральной оптики. Оптика обладает несколькими весомыми преимуществами: например, позволяет масштабировать систему, увеличивая ее вычислительные способности. Работа с квантовыми данными в интегральной оптике, однако, требует реализации нескольких сложных механизмов. Такая система должна уметь генерировать группы одиночных фотонов, управлять ими, а, затем — регистрировать.

В предыдущих работах физики уже сталкивались с проблемой создания генератора с достаточно яркими и различимыми фотонами. Кроме того, объединение источника фотонов с квантовыми схемами (регистраторами) в пределах одного компактного устройства — довольно трудная задача. Несмотря на это, в 2014 году ученым удалось произвести квантовую телепортацию фотона в пределах одного кремниевого чипа.

Теперь международная группа ученых во главе с Даниэлем Ллевеллином (Daniel Llewellyn) из Бристольского университета построила систему, позволяющую произвести квантовую телепортацию с одного чипа на другой. Она состоит из двух частей — передатчика (5×3 мм) и приемника (3,5×1,5 мм). Передатчик представляет собой сеть из нелинейных источников фотонов и линейных квантовых схем.

Сначала генерируются две пары фотонов, которые проходят через датчик, определяющий, запутаны ли они. Затем через волноводные каналы они направляются к линейной квантовой схеме (последовательности квантовых опытов). Последний этап — измерение при помощи системы интерферометров Маха — Цендера (это устройство состоит из волновода, который разветвляется на две части; электроды, расположенные по бокам плеч интерферометра, снова сводят пучок в единый). Один из запутанных фотонов отправляется в приемник по десятиметровому оптоволоконному кабелю. Приемник производит те же измерения интерферометром, что и передатчик.

Установка может телепортировать фотоны в пределах одного и двух чипов (в случае с двумя чипами они находились на расстоянии 10 метров друг от друга). Степень совпадения квантовых состояний (точность телепортации) в первом режиме равна 0,906, во втором — 0,885. В работе по телепортации 2014 года физики добились показателя около 0,89.

По словам авторов, их работа может пригодиться в более масштабных проектах на интегральной оптике, которые применимы в сфере квантовой связи и вычислений. Речь идет не только о квантовом компьютере, но и о квантовой сети, реализованной на оптических принципах. Повышение точности передачи данных предоставит физикам возможность создавать более эффективные средства связи, работающие на основе квантовой телепортации.

Источник.

 

На Урале создают универсальный процессор, решающий ИИ-задачи лучше Intel

Екатеринбургская микропроцессорная компания «Мультиклет», разрабатывающая чипы на собственной оригинальной «мультиклеточной» архитектуре, приступила к созданию универсального нейропроцессора, который можно будет не только использовать в обычных серверах и суперкомпьютерах, но и задействовать для решения специфических задач искусственного интеллекта (ИИ).

Разрабатываемый в инициативном порядке чип получил название Multiclet S2. На текущий момент готовность проекта оценивается в 20%. В частности, в его рамках на сайте компании в начале декабря 2019 года была опубликована первая версия набора программных средств разработки (SDK, software development kit) под Windows и Linux. Появление инженерных образцов чипа запланировано на 2021 год. Выпущены они будут по топологии 16 нм на известной тайваньской фабрике TSMC.

В электронной презентации проекта указывается, что от ранее созданных компанией мультиклеточных процессоров он отличается системой команд, а именно вводом новых типов малоразмерных данных (с фиксированной и плавающей запятой) и операциями с ними. «Число клеток увеличено до 256, а частота до 2,5 ГГц, что должно обеспечить пиковую производительность в 81,9 TФлопс на 16F и, соответственно, сделать его сравнимым в части нейровычислений с возможностями современных специализированных ASIC TPU (TPU-3: 90 Тфлопс на 16F)». В последнем случае речь идет о третьем поколении специализированных нейрочипов Google, представленных в 2018 году.

«Архитектура «Мультиклет» принципиально отличается тем, как она использует результаты, — говорится в презентации компании. — В традиционной архитектуре фон Неймана достоверность используемого результата обеспечивается порядком выполнения инструкций. В dataflow — прямой передачей результата его потребителям. В многоклеточной архитектуре команда при извлечении сообщает памяти результатов имена требуемых результатов и переходит в буфер до получения запрошенных результатов. Команда выполняется, когда все запрошенные результаты находятся в памяти результатов. Результат выполнения команды также передается в память результатов».

Поясняя отличия более простым языком, гендиректор и соучредитель «Мультиклета» Борис Зырянов указывает, что когда действие влечет за собой действие (фоннеймановская архитектура), это можно уподобить безусловному рефлексу. «А если мы говорим о чем-то осмысленном, то действие должно влечь за собой данные, а уже данные провоцировать следующее действие, — говорит он. — Это как раз принцип нашей архитектуры, потому что у нас каждая клетка работает независимо, сбрасывая данные в общий поток, и из этого потока клетка, которой они нужны, эти данные вылавливает».

Источник.

 

В МФТИ получили атомно-тонкие слои дисульфида молибдена на подложках больших площадей

В Физтехе научились синтезировать атомно-тонкие пленки дисульфида молибдена (MoS₂) на площади до нескольких десятков квадратных сантиметров. Исследования показали, что структурой MoS₂ можно управлять путем изменения температуры синтеза. Пленки, востребованные в электронике и оптоэлектронике, были получены в МФТИ при температурах 900–1000 °С. Результаты работы опубликованы в журнале ACS Applied Nano Materials.

Двумерные (2D) материалы вызывают большой интерес благодаря уникальным свойствам, вызванным особенностями структуры и действием квантово-механических ограничений. Семейство 2D-материалов включает металлы, полуметаллы, полупроводники и изоляторы. Наиболее известный 2D-материал, графен, представляет собой монослойную пленку углерода, обладающую рекордной подвижностью носителей заряда. Однако отсутствие запрещенной зоны при нормальных условиях ограничивает его применимость. В отличие от графена дисульфид молибдена MoS₂ обладает оптимальной шириной запрещенной зоны для использования в электронных приборах. Каждый слой MoS₂ представляет собой сэндвич: слой атомов молибдена в окружении слоев атомов серы. Чрезвычайно перспективными также считаются 2D-ван-дер-ваальсовы гетероструктуры, получаемые комбинированием различных 2D-материалов. Эти материалы уже находят широкое применение в энергетике и катализе. При условии получения двумерного дисульфида молибдена на коммерчески значимых (wafer-scale) площадях он может обеспечить прорыв в создании прозрачных и гибких электронных устройств, оптической коммуникации в компьютерах нового поколения и других направлениях электроники и оптоэлектроники.

«Разработанный метод синтеза MoS₂ содержит два этапа. На первом этапе методом атомно-слоевого осаждения (АСО) выращивается пленка МоО₃. Особенность этого процесса — контролируемость толщины с точностью до одного атомного слоя и конформное покрытие любых поверхностей. При этом MoO₃ может быть легко получен на пластинах вплоть до 300 мм в диаметре. На втором этапе проводится термохимическая обработка в парах серы. В результате кислород замещается серой и образуется соединение MoS₂. Уже сейчас мы научились синтезировать атомно-тонкие пленки дисульфида молибдена (MoS₂) на площади до нескольких десятков квадратных сантиметров», — рассказывает Андрей Маркеев, научный руководитель лаборатории атомно-слоевого осаждения МФТИ.

Ученые МФТИ выяснили, что структура получаемой пленки зависит от температуры сульфидирования. При 500 °С получается аморфная структура с кристаллическими включениями размером несколько нанометров. При 700 °С пленка содержит кристаллиты размером около 10–20 нм. При этом слои S-Mo-S ориентированы перпендикулярно поверхности. Таким образом, на поверхности образуется много оборванных связей. Такая структура обладает высокой каталитической активностью по отношению ко многим реакциям, в том числе реакции выделения водорода. Для использования MoS₂ в электронике нужно, чтобы слои S-Mo-S были ориентированы параллельно поверхности. Такая структура образуется при температуре сульфидирования 900–1000 °С. Данный способ позволяет получать пленки толщиной от 1,3 нм (что соответствует двум молекулярным слоям) на коммерчески значимых площадях

Синтезированные при оптимальных условиях пленки MoS₂ были внедрены в опытные образцы МДП-структур (металл-диэлектрик-полупроводник) на основе сегнетоэлектрического HfO₂, условно моделирующих работу полевого транзистора. В данных структурах пленка MoS₂ играла роль полупроводникового канала, проводимостью которого можно управлять направлением поляризации сегнетоэлектрического слоя. Разработанный ранее в данной лаборатории МФТИ сегнетоэлектрический материал La:(HfO₂-ZrO₂) в контакте с MoS₂ продемонстрировал остаточную поляризацию около 18 мкКл/см², а ресурс переключений составил около 5×10^6 циклов, что превосходит достигнутый общемировой результат при использовании кремниевого канала (не более 10⁵ переключений).

Источник.

 

Создано «бумажное» оптоволокно, которое перевернет мир датчиков влажности

Некоторое время назад в журнале Cellulose было опубликовано исследование финских ученых, которые рассказали о создании оптического волокна из целлюлозы. Идея создать светопроводящие волоконные структуры впервые оформилась в 1910 году. Много десятилетий спустя оптоволоконные кабели стали повседневной реальностью и незаменимым средством энергоэффективной передачи информации на десятки тысяч километров.

Созданное финскими учеными оптоволокно из целлюлозы не годится для целей телекоммуникации. Слишком велико в нем затухание света ― до 6,3 дБ на сантиметр на открытом воздухе для длины волны 1300 нм. В воде затухание увеличивалось до 30 дБ на сантиметр. Но именно это свойство оказалось самым востребованным. Подобные оптоволокна из целлюлозы, благодаря своему врожденному свойству намокать, окажутся ценным и удобным решением для измерения влажности.

Мир «умных» датчиков и вещей с подключением к Интернету может получить гибкие, протяженные и простые, а также энергоэффективные датчики для измерения влажности. Такие решения можно встраивать в фундаменты зданий и сооружений для контроля влажности в монолитных структурах — например, для контроля над уровнем паводковых и грунтовых вод. Носимая электроника может пополниться датчиками влажности тела и одежды, что пригодится в быту для слежения за состоянием маленьких детей и для любителей активного отдыха.

Источник.

 

ЗАКОНОДАТЕЛЬСТВО

---

В постановления правительства о субсидиях на сквозные технологии внесены изменения «с целью приведения к единообразию»

Постановлением правительства РФ № 1721 внесены изменения в ППРФ № 549, 550, 551 и 555.

Документ, как сказано в пояснительной записке, разработан с целью приведения к единообразию норм актов правительства Российской Федерации, устанавливающих правила поддержки проектов по внедрению отечественных продуктов, сервисов и платформенных решений, созданных на базе сквозных цифровых технологий.

Так, в правилах распределения субсидий на региональные проекты и на поддержку проектов по преобразованию приоритетных отраслей экономики и социальной сферы предлагается расширить перечень органов государственной власти и организаций, из представителей которых формируется комиссия по отбору получателей грантов, дополнив перечень представителями:

• аппарата правительства Российской Федерации;
• иных органов государственной власти;
• государственных корпораций и компаний с государственным участием, подписавших соглашения о развитии отдельных высокотехнологичных направлений с правительством Российской Федерации;
• автономной некоммерческой организации «Цифровая экономика»;
• коммерческих организаций, осуществляющих экономическую деятельность в отраслях связи, информационных технологий, транспорта, социальной сферы, реального сектора экономики;
• институтов развития, осуществляющих государственную поддержку разработки или внедрения цифровых технологий.

Также предлагается получать одобрение конкурсной документации на предоставление государственной поддержки программ деятельности лидирующих исследовательских центров на уровне президиума правительственной комиссии по цифровому развитию, использованию информационных технологий для улучшения качества жизни и условий ведения предпринимательской деятельности.

Документ также предусматривает уменьшение количества дорожных карт по направлениям развития сквозных цифровых технологий с девяти до семи, в связи с чем предлагается исключить два направления сквозных цифровых технологий «Большие данные» и «Промышленный Интернет».

Дополнительно в части постановления правительства Российской Федерации от 3 мая 2019 г. № 555 «Об утверждении Правил предоставления субсидии в рамках поддержки проектов по преобразованию приоритетных отраслей экономики и социальной сферы на основе внедрения отечественных продуктов, сервисов и платформенных решений, созданных на базе сквозных цифровых технологий», предлагается исключить значения показателей по годам как излишние.

В название постановления правительства «О государственной поддержке компаний — лидеров по разработке продуктов, сервисов и платформенных решений на базе сквозных цифровых технологий добавлена фраза о преимущественно российских технологиях: «О государственной поддержке компаний-лидеров, разрабатывающих и обеспечивающих внедрение продуктов, сервисов и платформенных решений преимущественно на основе российских технологий и решений для цифровой трансформации приоритетных отраслей экономики и социальной сферы в рамках реализации дорожных карт по направлениям развития «сквозных цифровых технологий».

Источник.

 

Опубликован закон о значительном повышении штрафа за хранение данных россиян не на территории РФ

Президент подписал закон, которым устанавливается ответственность за нарушение требований о локализации баз персональных данных граждан Российской Федерации на ее территории.

Для граждан штраф составит от 30 тысяч до 50 тысяч рублей; для должностных лиц — от 100 тысяч до 200 тысяч рублей; для юридических лиц — от 1 миллиона до 6 миллионов рублей.

За повторное нарушение — от 50 тысяч до 100 тысяч рублей для граждан; от 500 тысяч до 800 тысяч рублей — для должностных лиц; от 6 миллионов до 18 миллионов рублей — для юридических.

Действующим законодательством отдельной ответственности за неисполнение требований по локализации баз данных не предусмотрено, поэтому нарушителей штрафовали по ст. 19.7 КоАП за непредставление информации. Как отмечали авторы при разработке документа, штраф был незначителен, «явно несоразмерен характеру правонарушения и не способен побудить к соблюдению российского законодательства». Для граждан он составлял 100–300 рублей; для должностных лиц — 300–500 рублей; для юридических лиц — 3–5 тысяч рублей.

Именно на 3 тысячи рублей и были оштрафованы Роскомнадзором компании Twitter и Facebook — за отказ предоставить информацию о локализации персональных данных российских пользователей.

Закон также предусматривает увеличить штрафы для поисковиков за повторное нарушение действующих ограничений, в том числе направление пользователей на запрещенные сайты. Для граждан штраф составит 30–100 тысяч рублей, для должностных лиц — 100–500 тысяч рублей, для юридических лиц — 1,5–5 миллионов рублей.

Документ вступает в силу по истечении 10 дней после дня официального опубликования.

Госдума одобрила закон на прошлой неделе.

Обязанность хранить данные россиян на территории РФ была установлена № 242-ФЗ и начала действовать с 1 сентября 2015 года. Тогда же заработал реестр нарушителей прав субъектов персональных данных.

Источник.

 

СОБЫТИЯ

---

CES 2020— международная выставка потребительских технологий

7–10 января 2020 года, США, Лас-Вегас, Las Vegas Convention Center

Самое ожидаемое техношоу Америки славится масштабом представленных инноваций, вызывающих огромный интерес как в профессиональной среде, так и у широкой публики. Выставка собирает больше 182 тысяч посетителей из 150 стран.

 

Lightovation 2020 — международная выставка индустрии освещения

8–12 января 2020 года, США, Даллас , Dallas Market Hall 

 

Expo Elettronica Modena 2020 — выставка электроники и сопутствующей продукции

11–12 января 2020 года, Италия, Модена, Modena Fiere

 

Internepcon Japan 2020 — международная выставка электронной техники

Fine Process Technology Expo 2020 — выставка тонких технологических процессов для производства электроники

Electronic Components & Materials Expo 2020 — международная выставка материалов для электронной промышленности

Nepcon Japan 2020 — международная выставка электроники и компонентов

15–17 января 2020 года, Япония, Токио, Tokyo Big Sight

Сайт мероприятий.